SAM7SE 微控制器的可选闪存密度为32、256和512千字节，是唯一一款包括外部总线接口 (EBI) 的 ARM7 微控制器。通过外部总线接口可访问大量 NAND 外置闪存、同步动态随机存取内存 (SDRAM)、CompactFlash(R)、同步随机存取内存 (SRAM) 和只读存储器 (ROM) 存储。SAM7SE 微控制器能有效存储和检索千兆字节数据，是移动医疗监控等数据记录应用的理想之选。 

    SAM7SE 微控制器是业界首款带有 SDRAM、NAND 闪存接口以及错误纠正编码 (ECC) 的 ARM7 微控制器。在 TrueIDE 模式下，Atmel 的 AT91SAM7SE 微控制器上的外部总线接口支持32比特 NAND 闪存、SDRAM 和 CompactFlash。它包括一个配有互补的错误纠正编码控制器的 NAND 闪存控制器。错误纠正编码控制器能够弥补 NAND 闪存随时间的推移所丢失的比特。一个内置式闪存控制器提供最高达八个可配置的芯片选择，并支持 SRAM、ROM、闪存、内存映射的液晶显示器 (LCD) 以及现场可编程门阵列 (FPGA) 等各种16和32比特的静态设备。 

    SAM7SE 微控制器可实现低成本、低功耗和数据记录应用的便携式安装。数据记录应用通常采用高成本和功耗较高的 ARM9(TM) 微控制器来实现安装，这是因为 ARM9(TM) 微控制器是唯一一种支持 SDRAM 和 NAND 闪存的微控制器。传统的 ARM7 微控制器需要通过这些应用上的通用型输入/输出进行密集型比特操作，大大减少了处理功耗。随着 Atmel 的 SAM7E 系列的推出，设计师们现在能够使用这些体积更小的 ARM7 微控制器来安装这些应用的电池驱动型便携式版本。 

    使用外置内存或逻辑的问题是，它使片上闪存容易受到外部潜在、未经许可的访问。而 Atmel 的 SAM7E 微控制器具备一些保护编码的功能：1）该微控制器可以阻挡外置内存；2）一个闪存安全比特能够阻止快速闪存编程接口 (FFP) 和 JTAG 接口访问片上闪存；3）一个内存保护单元 (MPU) 可配置用于实现片上闪存的代码执行，因此能够阻止外部源的执行。 

    512 KB SAM7SE 微控制器上的双存储库闪存可实现真正的边写边读能力，因此系统可在持续运行的同时实现编程。该双存储库内存还保护系统免受断电或其他导致系统无法恢复正常工作的错误的干扰。 

    现代通信协议拥有传统 ARM7 微控制器所无法支持的最高数据传输率。例如，全速 USB 运行的速度为12 Mbps，而高速 SPI 运行的速度为25 Mbps。传统的 ARM7 微控制器在运行速度只有4 Mbps 时会出现运行故障，以致无法有效地处理数据。与 Atmel 的其他 SAM7 微控制器一样，SAM7SE 系列配有一个11 信道的外设直接内存访问 (DMA) 控制器 (PDC)，该控制器能够在针对应用处理保持96%的中央处理器周期的同时将芯片上带宽增至10 Mbps。无需中央处理器的介入，PDC 就能够直接在 NAND 外置闪存或 SDRAM 中储存流内容。 

SAM7SE 系列微控制器具有与8比特微控制器相同的监控特点，包括高级节电检测器、上电复位、实时时钟、晶体振荡器、看门狗定时器和3个16比特的定时器。通信接口包括三个同步／异步串行通信 (USART) 接口、USB、双线接口 (TWI)、I2S（同步串行接口 (SSC)）和 SPI。 该设备还配有四个脉宽调制器 (PWM)、一个8信道、10比特的模拟数字控制器和88个输入/输出针脚。 

    传统的微控制器多路传输外围设备，因而在多个外围设备访问时就会常常导致瓶颈的出现。三个单独的 PIO 控制器能够避免这种问题的发生。当外部总线接口不在使用时，所有的外围设备都可同时被访问。 

     AT91SAM7SE512 目前已以128 针脚绿色四方扁平封装 (QFP) 或球栅阵列封装 (BGA) 推出。

 
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